靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）通常直接集成在計(jì)算芯片內(nèi)部，以實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)訪問，但其容量往往受限。近年來，通過3D堆疊技術(shù)的引入，SRAM在保持高集成度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了容量的有效提升。動(dòng)態(tài)
在數(shù)字世界的底層，存儲(chǔ)芯片扮演著數(shù)據(jù)記憶的核心角色。一提起存儲(chǔ)器的分類，許多人腦海中會(huì)立刻浮現(xiàn)出RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與ROM（只讀存儲(chǔ)器）這兩大經(jīng)典類別。然而，隨著技術(shù)不斷發(fā)
在AI、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子與服務(wù)器創(chuàng)新浪潮的推動(dòng)下，智能設(shè)備的傳感功能正快速升級(jí)，導(dǎo)致其對I O接口的需求激增。然而，傳統(tǒng)MCU有限的串口與I O資源往往成為功能擴(kuò)展的瓶頸。
